(台北訊) IGZO為InGaZnO (銦鎵鋅氧化物)的縮寫,係備受關注的次世代TFT技術,屬氧化物TFT (Oxide TFT)的一種。DIGITIMES Research分析,與非晶矽(a-Si) TFT相較,氧化物TFT不僅電子移動度較高,且在TFT一致性、製造成本與製程溫度,亦均與非晶矽TFT同水準,有機會成為次世代TFT製程。
氧化物TFT技術最早係由日本細野秀雄教授於1995年首次發表,而2004年由細野秀雄教授帶領的日本東京大學研究團隊,又發表採用IGZO薄膜製作的TFT元件,其後,南韓、日本與台灣相關廠商自2006年起陸續發表採氧化物半導體的試製品。
依全球FPD廠商於氧化物TFT技術發展動向來看,其應用面涵蓋3D TV面板、可撓式顯示器、透明顯示器、超大尺寸電視/數位資訊顯示器等應用領域。
而在南韓與日本主要LCD面板廠中,以三星與夏普啟用氧化物TFT產線量產腳步將較快,其中,DIGITIMES Research說明,三星運用氧化物TFT技術,主要在使3D TV面板達到UD級高解析度與480Hz高倍速驅動,其計劃最快於2012年推出採該面板的3D TV新品,依此來看,三星啟用氧化物TFT產線量產的時間,應將落在2011年下半至2012年之間。
至於夏普啟用氧化物TFT產線量產的時間,則可能落在2011年底,而相較於三星以氧化物TFT發展次世代3D TV,夏普則將優先供應平板裝置與智慧型手機用途,於此背景下,2012年LCD製程可望邁入新階段。
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